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ASICs ASSPs IC Gehäuse

ASICs – Application Specific integrated Circuits

Mixed-Signal-ASICs

Komplexe kundenspezifische Systeme bestehen heute zum überwiegenden Teil aus einerseits analogen Komponenten, wie integrierten Sensoren, Signalverstärkern, Stromversorgungsmodulen, DC/DC-Wandlern und hochauflösenden oder schnellen ADCs oder DACs und andererseits aus komplexer digitaler Signalverarbeitung, integrierten Mikrokontrollern, einer breiten Palette an Ein- und Ausgangs-Ports, Bus-Interface-Baugruppen oder auch integrierten flüchtigen bzw. nichtflüchtigen Speicherblöcken. Als Spezialisten auf diesem Gebiet können wir hier auf ein breites Know-How aus vielen Jahren Berufserfahrung und einer große Palette realisierter Schaltungen verweisen.

 

 
Analoge Spezialschaltungen

Die uns zur Verfügung stehenden Halbleitertechnologien sind ausgezeichnet dafür geeignet, analoge Schaltungen mit unterschiedlichen Parametern zu realisieren. Spezielle Halbleitertechnologien ermöglichen unter anderem folgende Eigenschaften:

  • Hochvoltschaltungen mit Spannungsfestigkeiten bis zu 600V.
  • Frequenzen bis zu 3 GHz
  • Integrierte Sensoren (optisch, Temperatur, Hall)
  • Hochgenaue Bandgap-Referenzspannungsquellen
  • Breitbandige, offset- und rauscharme Operationsverstärker

Typische Anwendungen:

  • Sensorverstärker/ -Kontroller; auch in ungeschützter Kfz-Bordnetz-Umgebung
  • optische Transimpedanzverstärker
  • Smart-Power-Stromversorgungs-Schaltkreise, (DC/DC-Wandler, intelligente Ladekontroller, Motorkontroller)
  • HF-Übertragungssysteme (z.B. 433/868 MHz)


 

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Digitale ASICs

Mit unseren umfangreichen Erfahrungen bei der Entwicklung komplexer digitaler Systeme mittels Verilog/VHDL-Programmierung und dem Know-How für eine erfolgreiche Umsetzung auf moderne CMOS-Prozesse sind wir für die Entwicklung kundenspezifischer digitaler Schaltungen unterschiedlichster Komplexität bestens gerüstet. Mit unseren Synopsis-EDA-Tools der jeweils aktuellsten Version sind wir in der Lage, angefangen von einer reinen Umsetzung eines FPGA in ein vollkundenspezifisches ASIC bis hin zur komplexen Logikentwicklung und ASIC-Implementierung die gesamte Palette an Dienstleistungen und technischen Möglichkeiten anzubieten. Sehr oft entsteht ein solches digitales ASIC in sehr enger Zusammenarbeit mit unseren Kunden, wichtigste Schnittstelle ist meist der bereits vorhandene VHDL- oder Verilog-Code bzw. eine FPGA-spezifische Beschreibungssprache.
Referenzen haben wir auf diesem Gebiet für komplexe digitale Feldbus-ASICs unterschiedlichster Art im Bereich der Automatisierungstechnik und Automobilelektronik aufzuweisen.


 

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Halbleiter-Fertigungs-Prozesse:

Als unabhängiger „fabless semiconductor vendor“ können wir auf den für das jeweilige Projekt optimalen Prozess einer Reihe unterschiedlicher Waferfoundries zurückgreifen. Die Nutzung solcher reinen Foundries, die keine eigenen Produkte anbieten, gewährleistet eine lange Technologiestandzeit, stabile technische Parameter und günstige Preise.

Genutzte Technologien:

CMOS

 

 

0,25 µm CMOS

  • 1P5M (Aluminium)
  • 2,5V, 3,3V und 5V I/O-Unterstützung
  • Trench Isolation
  • Mixed-Signal Optionen:
    deep N-well, vielfach VtMOSFET, Hochwiderstands Poly-Layer,
    MiM Kondensatoren,
    Dickschicht-Spulen

0,5 µm CMOS

  • 2P3M
  • p-Substrat
  • Hochwiderstands-Poly-Layer
  • Doppel-Poly-Kapazitäten
  • Vccmax 5V
  • OTP/EPROM optional
  • 14-17 Masken

0,8 µm HV-CMOS

  • Vccmax 5V/18V
  • 2P3M
  • p-Substrat oder n-Substrat
  • Hochwiderstands-Poly-Layer
  • Doppel-Poly-Kapazitäten
  • OTP/EPROM optional
  • 17–22 Masken
 

Bipolare Technologien (BJT)

 

1,5 µm Bipolar

  • Uceo 12 V / 25 V / 35V
  • 2M
  • Implantierte Widerstände und Kapazitätslayer optional
  • I2L-Logik
  • 10-14 Masken

5 µm Bipolar

  • Uceo 10 V / 30 V / 40V
  • 2M
  • Implantierte Widerstände und Kapazitätslayer optional
  • I2L-Logik
  • 8-13 Masken
 

BiCMOS

0,6 µm BiCMOS

  • Bipolar: Uceo von 8,5 V
  • Fmax 16 GHz
  • Metallebenen 2- 4
  • 5V und 3,3V I/O Bibliotheken verfügbar
  • bis 4600 effektive Gatter/mm2
  • EPROM optional
  • integrierte Photodiode als IP verfügbar

BCD

0,8 µm BCD

  • 12V/5V/40V
  • 2P2M
  • p-Substrat
  • Bipolar: Uceo von 12 V
  • 17–22 Masken

 

Mit folgenden Foundry-Partnern sind bereits ASIC-Entwicklungen erfolgt und bestehen langfristige Vereinbarungen für die Serienfertigung:

Foundrypartner:

 

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CREATIVE CHIPS GmbH - Am Ockenheimer Graben 54 - 55411 Bingen am Rhein - info@creativechips.com

 

 

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